在CMOS傳感器中,光和電都可能引入串?dāng)_,是由于輸入光的波動性質(zhì)、不完美的濾色片以及光學(xué)疊層中的對準(zhǔn)失配等,一些光將滲入相鄰的子像素,在硅中產(chǎn)生電荷。此外,從目標(biāo)子像素中吸收的光產(chǎn)生的電荷也可以擴(kuò)散到相鄰子像素中,并由相鄰阱收集。
在光學(xué)模擬中,該方法將遵循吸收功率的方法(參見2D示例),F(xiàn)DTD區(qū)域必須延伸到硅襯底中。Bloch邊界條件將用于光學(xué)模擬中以某個(gè)角度入射的周期性,仿真區(qū)域?qū)粋€(gè)RGBG像素(四個(gè)子像素)。
生成率分析組
FDTD模擬中必須添加三個(gè)生成率分析對象,以記錄和分析綠色和藍(lán)色子像素中的吸收功率。您將注意到有三個(gè)生成率對象:一個(gè)僅位于藍(lán)色通道下,一個(gè)僅在綠色通道下,另一個(gè)覆蓋兩者。對于CHARGE模擬,我們確實(shí)只需要生成對象覆蓋藍(lán)色和綠色通道下的兩個(gè)區(qū)域的結(jié)果,但我們保留了其他兩個(gè)分析組,以便在以后的計(jì)算中使用每個(gè)通道的Jsc輸出結(jié)果。生成率分析組將:
平均y方向上的生成率,
重復(fù)x方向上的生成率(因?yàn)楣鈱W(xué)模擬是周期性的),
保存可導(dǎo)入CHARGE模擬的生成率文件。
分析組的選項(xiàng)卡設(shè)定如下所示:
入射角掃描
在cis_QE.fsp文件中的掃描任務(wù)設(shè)置為掃過7個(gè)角度點(diǎn)(0度到35度),對于每個(gè)角度,光源偏振角都設(shè)置為0度和90度,總共14次模擬。每種情況下,生成率輸出為.mat文件。由于我們需要非相干光結(jié)果,所以我們將兩個(gè)偏振角模擬的結(jié)果相加。分析組返回乘以系數(shù)0.5的生成率以修正結(jié)果,因此當(dāng)我們將兩個(gè)極化結(jié)果相加時(shí),我們將得到非相干源的平均生成率。
在FDTD模擬中運(yùn)行掃描任務(wù)。掃描完成后,應(yīng)在掃描文件夾中生成14個(gè)文件,這些文件是我們將加載到CHARGE模擬中的文件。同時(shí)FDTD中的掃描還會返回角度響應(yīng)示例中討論的相同結(jié)果,以生成光學(xué)效率。
角度響應(yīng)示例可參考:https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360042358574
生成速率和光學(xué)效率
在FDTD項(xiàng)目文件中,使用以下腳本行,使用上述示例中解釋的方法繪制光學(xué)效率。該腳本還將保存藍(lán)色像素下生成的電流,以便在CHARGE中進(jìn)行進(jìn)一步計(jì)算。
使用FDTD中的光學(xué)模擬計(jì)算光學(xué)效率(圖示藍(lán)線)。綠色像素中吸收的比例表示吸收光中的光譜串?dāng)_(圖示綠線)。腳本也計(jì)算了藍(lán)色像素下生成的電流以及功率,以進(jìn)行進(jìn)一步的后期處理。
在CHARGE模擬中,對象樹中添加了一個(gè)生成組,其中包含所有角度的導(dǎo)入生成率數(shù)據(jù)和每個(gè)角度的兩個(gè)極化。使用腳本文件cis_QE.lsf,為每個(gè)角度設(shè)置模擬,并啟用相應(yīng)的生成率數(shù)據(jù)。導(dǎo)入生成率數(shù)據(jù)現(xiàn)在將擴(kuò)展到四個(gè)子像素(GBGB),表示該橫截面中的平均生成率。注意,每個(gè)角度都有兩個(gè)極化,結(jié)果是兩個(gè)極化的總和,因?yàn)閷?dǎo)入生成對象是相加的。CHARGE模擬在DC穩(wěn)態(tài)下執(zhí)行,其中像素被偏置在其重置狀態(tài)(TX門開啟,RST門開啟)。這將使像素狀態(tài)保持在照明開始時(shí)(或?qū)τ诔掷m(xù)照明的傳感器,在初始電荷積分點(diǎn))預(yù)期的條件下。對于弱照明系統(tǒng),這將提供對電串?dāng)_的準(zhǔn)確估計(jì),同時(shí)極小化仿真復(fù)雜性。用戶參數(shù)“vdd”在模型中定義,可用于同時(shí)設(shè)置所有觸點(diǎn)的直流偏壓。例如下述腳本將向像素中的所有柵極和FD觸點(diǎn)施加3.3V偏置。
求解器區(qū)域?qū)U(kuò)展為包含四個(gè)子像素:相鄰像素的藍(lán)色(居左側(cè))和綠色(居右側(cè)),以及感興趣的綠色(非活動)和藍(lán)色(活動)子像素。CHARGE求解器區(qū)域具有開放(非周期性)邊界條件,通過規(guī)定沒有電荷將被傳輸穿過半導(dǎo)體中的邊界來強(qiáng)制電荷守恒。因此,模擬域的邊界應(yīng)被擴(kuò)展以包括相鄰的單元,使得子像素之間產(chǎn)生的電荷將在適當(dāng)?shù)慕佑|處被正確地收集。模擬域必須包括每個(gè)子像素的觸點(diǎn),以正確設(shè)置系統(tǒng)上施加的偏置。
如果只運(yùn)行一個(gè)模擬,則始終可以檢查CHARGE對象的外部光學(xué)生成率結(jié)果。
內(nèi)部/外部量子效率和串?dāng)_
運(yùn)行cis_QE.lsf。對于每個(gè)模擬,設(shè)置都是網(wǎng)狀的,并且還有一個(gè)“初始化”步驟。初始化將用于為求解器生成良好的初始猜測,這將需要大量的模擬時(shí)間。模擬完成后,腳本的其余部分返回從每個(gè)顏色通道收集的電流,并確定串?dāng)_比例。該值表示為來自綠色和藍(lán)色通道的總電流的比例。注意,電流小于用FDTD計(jì)算的理想值:兩者的比率是內(nèi)部量子效率(IQE)。結(jié)果繪制為光源角度的函數(shù)。
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